Al_xGa_(1-x)As:Si中DX中心的双极化子机制及统计分析

作者：李维峰; 梁迎新; 金勇; 魏建华

来源：Acta Physica Sinica, 2010, 59(12): 8850-8855.

• DX中心
• 双极化子
• 冻结 DX center
• bipolarons
• freezing

基于极化子和双极化子的物理图像,采用无拟合参数的巨正则统计方法计算了Si掺杂的AlxGa1-xAs的导带载流子浓度,计算得到的理论结果从高温到低温都与实验结果定量一致.计算证实了AlxGa1-xAs:Si中的DX中心的基态DX-是电子-晶格相互作用产生的负电双极化子.处于热平衡状态时,施主Si在AlxGa1-xAs中除了电离状态,处于不同晶格构型的单、双极化子态共存,低温时双极化子态被冻结;光照下发生持续光电导时,双极化子态变成单极化子态同时向导带释放一个电子,此过程伴随着进一步的晶格弛豫.理论与实验的对照说明单电子局域的DX0态在热平衡时并不能稳定存在,这和提出的双极化子机制是完全一致的.

• 单位
  中国人民大学