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摘要
Si衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有CMOS工艺兼容等优势，使Si衬底上GaN基射频(RF)电子材料和器件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。由于力学性质与低阻Si衬底不同，高阻Si衬底上GaN基外延材料生长的应力控制和位错抑制问题仍然困难，且严重的射频损耗问题限制着其在射频电子领域的应用。本文简要介绍了Si衬底上GaN基射频电子材料的研究现状和面临的挑战，重点介绍了北京大学研究团队在高阻Si衬底上GaN基材料射频损耗的产生机理，以及低位错密度、低射频损耗GaN的外延生长等方面的主要研究进展。最后对Si衬底上GaN基射频电子材料和器件的未来发展作了展望。
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单位人工微结构和介观物理国家重点实验室; 北京大学
