摘要
半实物仿真计算结果表明,CRH5型动车组四象限整流侧IGBT器件寿命长于逆变侧,机车频繁进站会降低IGBT器件寿命。典型线路计算时,最小寿命约为780万km。与寿命相关的测试表明,与全新同型号IGBT器件相比,运行480万km的IGBT器件芯片及DBC焊层超声波扫描未出现分层现象。饱和压降及键合点推力测试表明,键合线根部已经出现裂纹,导致饱和压降平均值比全新增加0.196%,IGBT芯片键合线推力均值由全新的2800 g降低到2400 g, FRD芯片键合线推力均值由全新的2800 g降低到2600 g及2300 g,退化后的测试电学参数均在额定值以内,未达到寿命失效标准。这些研究结果对寿命预测结果进行了初步的验证。
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单位西安理工大学; 自动化学院