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摘要
采用了一种简单的铜集流体表面改性方法，成功在硅负极和集流体之间引入化学键作用力，以缓解硅在循环过程由于体积变化过大从集流体上脱出的问题。DAMO的涂覆使Cu*表面负载氨基官能团。氨基官能团增加铜箔表面的亲水性，有利于以水作为溶剂的浆料在铜箔表面的固化过程。同时，氨基可以和黏结剂中羧基形成酰胺键，在铜集流体和硅负极之间构建化学键作用力。但高浓度的DAMO改变了铜箔表面形貌，降低了表面粗糙度，只能提供单纯的化学键作用力。同时，DAMO的绝缘性也降低了铜箔的导电性，增加了电池的阻抗。综合以上考虑DAMO膜的作用，当DAMO的浓度为0.05 wt%时，Cu*表面既能保留机械互锁力，又可以提供化学键作用力，电极中集流体和活性层界面黏结强度增加，Si-Cu*-0.05%的倍率性能和循环性能明显增强，循环100次之后，容量保持率为60%，比采用裸铜的硅电极电化学性能提升25%。
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