基于退化数据的厚膜电阻可靠性评估

作者:吴兆希; 罗俊; 谭骁洪; 唐昭焕; 赵茂霖
来源:微电子学, 2020, 50(06): 926-931.
DOI:10.13911/j.cnki.1004-3365.200251

摘要

设计了厚膜电阻的高温贮存试验,以评估厚膜电阻的可靠性。基于阻值的退化数据,采用线性退化模型描述厚膜电阻的退化过程,结果表明,厚膜电阻伪寿命分布满足对数正态分布规律。结合Arrhenius模型推算得出,厚膜电阻在室温下的寿命约为17.8年。分析了厚膜电阻的失效机理,完成了厚膜电阻在温度应力下的可靠性评估。

  • 单位
    中国电子科技集团公司第二十四研究所