SiGe HBT超自对准结构模拟研究

作者：黄大鹏; 戴显英; 张鹤鸣; 王伟; 吴建伟; 胡辉勇; 张静; 刘道广

来源：微电子学, 2005, (4): 329-331.

DOI：10.3969/j.issn.1004-3365.2005.04.001

• 硅锗异质结双极晶体管
• 自对准
• 侧墙
• 悬梁

侧墙厚度及悬梁长度是SiGe HBT超自对准器件工艺中的重要结构参数,对器件的寄生效应和结面积有一定的影响,因而也影响器件的电流放大系数β和特征频率ft.在目前的文献中,尚未见到有关SiGe HBT超自对准结构模拟的报道.文章在研究各种超自对准技术的基础上,给出了SiGe HBT超自对准器件的优化结构.利用二维器件模拟软件MEDICI,对该结构中的侧墙及悬梁进行了模拟研究.结果表明,侧墙厚度对

• 单位
  西安电子科技大学