SiGe HBT超自对准结构模拟研究

作者:黄大鹏; 戴显英; 张鹤鸣; 王伟; 吴建伟; 胡辉勇; 张静; 刘道广
来源:微电子学, 2005, (4): 329-331.
DOI:10.3969/j.issn.1004-3365.2005.04.001

摘要

侧墙厚度及悬梁长度是SiGe HBT超自对准器件工艺中的重要结构参数,对器件的寄生效应和结面积有一定的影响,因而也影响器件的电流放大系数β和特征频率ft.在目前的文献中,尚未见到有关SiGe HBT超自对准结构模拟的报道.文章在研究各种超自对准技术的基础上,给出了SiGe HBT超自对准器件的优化结构.利用二维器件模拟软件MEDICI,对该结构中的侧墙及悬梁进行了模拟研究.结果表明,侧墙厚度对

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