0.13μm全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子效应仿真研究

作者：花正勇; 马艺珂; 殷亚楠; 周昕杰; 陈瑶; 姚进; 周晓彬

来源：电子与封装, 2019, 19(08): 36-43.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0810

• FD-SOI
• 仿真
• 辐射
• 单粒子
• LET
• 偏置

利用计算机辅助设计Silvaco TCAD仿真工具,研究了0.13μm全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)晶体管单粒子瞬态效应,分析了不同线性能量转移(LET)、单粒子入射位置和工作偏置状态对单粒子瞬态的影响。结果表明,LET值的增加会影响沟道电流宽度,加大单粒子瞬态峰值及脉冲宽度。受入射位置的影响,由于栅极中央收集的电荷最多,FD-SOI器件的栅极中央附近区域单粒子瞬态效应最敏感。单粒子瞬态与器件工作偏置状态有很强的相关性,器件处于不同工作偏置状态下,关态偏置受单粒子效应影响最大,开态偏置具有最小的瞬态电流峰值和脉宽。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所