随着社会的不断发展，将透明的非晶氧化物半导体薄膜晶体管应用在显示技术行业成为人们关注的焦点，因此，人们对半导体薄膜晶体管电学性能的要求也日益提高。铝锌锡氧化物（AZTO）的化学成分中不含稀有有毒元素且成本低，被广泛用于半导体薄膜晶体管的研究。文章介绍了铝锌锡氧化物半导体薄膜晶体管（AZTO-TFT）电学性能的影响因素，如Al元素含量、退火温度和双沟道层结构，为今后改善AZTO-TFT的电学性能提供了有效方法，展望了今后的研究方向和应用前景。
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