应用于AlGaN/GaN HEMTs MMIC薄膜电阻的特性与可靠性

作者：姚小江; 蒲颜; 刘新宇; 吴伟超

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2008, 29(7): 1246-1248.

DOI：10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.003

• TaN
• NiCr
• 薄膜电阻
• 可靠性
• 微波集成电路

TaN和NiCr是AlGaN/GaN HEMTs微波集成电路中薄膜电阻最为常用的两种材料.文中对比了在SiC衬底上生长的这两种材料的薄膜电阻的可靠性.通过TaN和NiCr薄膜电阻的对比,发现TaN薄膜电阻的方块电阻(Rs)随着退火温度的上升而增大,然而NiCr薄膜电阻的Rs却出现相反的趋势.同时发现随着退火温度的上升TaN薄膜电阻的s.和接触电阻(Rc)的变化远远小于NiCr薄膜电阻的变化.在400℃退火及等离子刻蚀机的氧等离子暴露后,TaN薄膜电阻的Rs只下降了0.7Ω,大概2.56%,并且Rc上升了0.1Ω,大概6.6%.但是NiCr薄膜电阻的Rs.和Rc在不同的退火条件下经过氧等离子暴露后发生了很大的变化.因此,TaN薄膜电阻在氮气保护下经过400℃退火后在氧等离子暴露下更为稳定.

• 单位
  中国科学院微电子研究所