一种低接触电阻型GaN基器件及其制作方法

作者：祝杰杰; 马晓华; 郭静姝; 徐佳豪; 刘思雨; 宓珉瀚

来源：2021-11-23, 中国, CN202111397906.8.

本发明提供一种低接触电阻型GaN基器件及其制作方法。所述方法包括在包括衬底层、成核层、缓冲层、沟道区、插入层、势垒层和GaN帽层的外延基片上沉积氧化硅掩膜；在氧化硅掩膜上刻蚀向下延伸至沟道区的凹槽；利用湿法工艺在氧化硅掩膜边缘制作出顶切结构；在凹槽中生长重掺杂的n～+材料；利用湿法腐蚀与机械剥离去除掩膜及掩膜上的多晶材料；制备源漏金属电极；沉积钝化层并在钝化层上制备通孔和凹槽；在所述凹槽上制备栅电极；进行金属互连。本发明可以明显改善外延n～+材料与沟道之间的接触。

• 单位
  西安电子科技大学