垂直位型中一维光子晶体的禁带宽度分析

作者:杨瑞; 杜立国
来源:大庆师范学院学报, 2019, 39(06): 22-26.
DOI:10.13356/j.cnki.jdnu.2095-0063.2019.06.005

摘要

随着信息技术的飞速发展,基于光子晶体能带理论的功能器件得到了广泛应用,对光子带隙的研究在光子晶体研究中具有深远意义。采用双子格模型考虑TE的传播特点,从一维光子晶体理论分析出发,通过传递矩阵TMM法分析了禁隙特性对其带宽的影响,从而确定工作频段,应用Translight通过设定参数来确定带隙的影响因素与其定量关系,对带隙的变化规律进行分析总结。这为以后深入研究二维光子带隙及应用提供了重要的理论依据。