图形反转方法制备MEMS器件电极的研究

作者：彭自求; 王军; 袁凯; 蒋亚东

来源：电子器件, 2010, (05): 557-560.

• AZ5214光刻胶
• 图形反转
• 倒台面
• 反转烘 AZ5214 photoresist
• graphic inversion
• back table shape
• reversal bake

研究了利用AZ5214光刻胶图形反转实现抗腐蚀金属NiCr剥离的关键工艺步骤,该方法可以用于制备金属电极,进而优化器件性能。理论上讨论了图形反转的形成机理,根据Dill理论对光刻胶曝光模型进行了推导,并使用MATLAB模拟工具对其进行了仿真。通过优化各项工艺参数,得到了最佳倒台面结构,并制备了精度达到1μm宽的用于MEMS器件的金属NiCr电极。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 光电信息学院; 电子科技大学