深亚微米BiCMOS[B]芯片与制程剖面结构

作者：潘桂忠

来源：集成电路应用, 2018, 35(01): 42-46.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2018.01.011

• 集成电路制造
• 工艺
• 深亚微米BiCMOS[B]
• 剖面结构

深亚微米BiCMOS[B]技术能够实现双极型与CMOS元器件兼容的工艺。为了便于集成,以双极型制程为基础,引入Twin-Well CMOS元器件工艺,在同一硅衬底上实现兼容的BiCMOS[B]工艺。采用深亚微米BiCMOS[B]集成电路芯片结构设计的工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。

• 单位
  上海贝岭股份有限公司