磁控溅射制备低相转变温度氧化钒薄膜

作者：李云龙; 付花睿; 张霄; 周广迪; 游才印; 沈乾龙

来源：金属功能材料, 2017, 24(03): 18-24.

DOI：10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016081

• 氧化钒薄膜
• 相转变温度
• 电阻温度系数(TCR)
• 磁控溅射

采用直流反应磁控溅射法在不同氧分压气氛下制备了氧化钒薄膜,并进行后续真空退火处理。分别利用X-射线衍射仪,扫描电子显微镜和综合物性仪分析薄膜的相成分、表面形貌以及电性能。结果表明:随着氧分压的增加,450℃退火1h的薄膜逐渐由非晶态转变为VO2(M),VO2(M,B)和V6O13的混合结构,并且晶化程度逐渐提高。氧分压6.67%的薄膜相转变温度(TMST)接近52℃,SEM分析表明,微裂纹的存在为相转变时应力释放提供空间,降低了TMST。氧分压10%的薄膜具有-2.38%/K的电阻温度系数(TCR)值和1.67×104Ω的室温电阻值,满足制备非致冷红外探测器的要求。

• 单位
  西安理工大学; 武警后勤学院