紫外辐照增强ZnS纳米晶发光性质的研究

作者：彭玲玲; 韩涛; 曹仕秀; 雷宇

来源：材料保护, 2013, S1: 136-140.

DOI：10.16577/j.cnki.42-1215/tb.2013.s1.030

• ZnS纳米晶
• 缺陷态
• 紫外辐照 ZnS nanocrystals
• trap-state
• ultraviolet irradiation

采用化学沉淀法合成了规则的球状ZnS纳米晶,在Zn原料过量不同的条件下,得到的ZnS纳米晶发光强度不同。利用吸收光谱、发射光谱和透射电子显微镜对其光学特性和形貌进行了研究,发现ZnS纳米晶在424 nm处有一个与填隙原子或空位态原子等缺陷态有关的发射,归因于电子由浅施主能级向Zn空位形成的深能级受主跃迁产生。同时还观察到了在480 nm左右的伴峰出现,归因于ZnS表面S悬空键的发射。最后通过紫外辐照,使得纳米晶的表面生成了一层包覆体,降低了表面缺陷,增强了ZnS纳米晶的本征发光,发光强度随着辐照时间增加而增强,最后由于纳米晶表面不再变化而趋于稳定。

• 单位
  重庆文理学院