具有渐变量子垒的氮极性AlGaN基LED实现载流子调控和性能增强（英文）

作者：陆义; 闫建昌^*; 李晓航; 郭亚楠; 吴卓辉; 张亮; 谷文; 王军喜; 李晋闽

来源：光子学报, 2019, 48(07): 48-59.

• 深紫外LED
• AlGaN
• 氮极性
• 渐变量子垒
• 载流子调控

为了获得高效率的AlGaN基深紫外发光二极管,提出了具有渐变量子垒的氮极性结构来调控载流子的传输.通过氮极性结构在p型电子阻挡层中形成的反向极化诱导势垒,改善空穴注入和电子泄漏问题.另外研究了不同的渐变方向和渐变程度对器件性能的影响.模拟结果显示,在12nm的AlGaN量子垒上沿着(000-1)方向从Al组分0.65线性渐变到0.6,可以有效平衡量子垒的势垒高度和斜率,从而极大的增强空穴注入,光输出功率相较于传统结构提高了53.6%.该设计为电子泄漏和空穴注入问题提供了直接而有效的解决方案,在实现更高效率的深紫外发光二极管方面显示出广阔的前景.

• 单位
  中国科学院半导体研究所; 中国科学院大学