摘要

砷化镓(Ga As)是继硅之后被研究最深入、应用最广泛的半导体材料,被广泛应用于光电子和微电子领域。2015年年底,中国电子科技信团公司第四十六研究所陆续突破了4英寸SI-GaAs衬底制备的一系列关键技术,使其研制的衬底顺利通过了中国电科55所p HEMT器件验证。目前研制的4英寸SI-Ga As衬底的翘曲度大幅改善,通过对比测试与进口产品基本一致。

  • 单位
    中国电子科技集团公司第四十六研究所

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