NH3-NH4Cl-H2O体系低品位硫化铜矿氧化浸出-脉冲电积工艺

作者：李树超; 杨建广^*; 陈冰; 丁龙; 南天翔

来源：中国有色金属学报, 2018, 28(12): 2558-2567.

DOI：10.19476/j.ysxb.1004.0609.2018.12.19

• 低品位硫化铜精矿
• 氨性氧化浸出
• 脉冲电积

采用单因素试验法,研究某低品位硫化铜精矿(Cu 7.42%(质量分数))在NH3-NH4Cl-H2O体系中的氧化浸出行为。结果表明:在液固比4:1、[NH3·H2O]=1 mol/L、[NH4Cl]=3 mol/L、氧化剂过量系数1.4、原料粒度94～124μm、浸出时间2h、温度30℃的条件下,该低品位硫化铜矿浸出率98.89%;并在此基础上开展了从该低品位硫化铜精矿铜氨浸出液中直接脉冲电积铜的工艺优化试验。结果表明:在[NH4Cl]=3 mol/L、[NH3·H2O]=1.5 mol/L、[Cu2+]=20 g/L、明胶0.06 g/L、硫脲0.05 g/L、脉冲电流密度600 A/m2、占空比90%的条件下,可以获得平整光滑且有金属光泽的阴极铜,阴极电流效率87.97%。阴极铜XRD分析结果表明:氨-氯化铵体系中脉冲电积铜晶体主要沿(220)晶面生长,其余晶面未见明显反射峰,表现出类单晶结构。SEM分析显示:该阴极铜表面光滑致密且无瘤状物产生,铜在阴极表面的生长方式呈与阴极面垂直的一维方向生长。

• 单位
  中南大学