一种SiC MOSFET快速短路保护电路研究

作者：卢乙; 李先允; 倪喜军; 王书征

来源：电力电子技术, 2020, 54(10): 57-59.

• 金属氧化物半导体场效应晶体管
• 过流检测
• 短路保护

碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有工作频率高、耐温高、临界击穿场强高和寄生参数小等特点,广泛应用于高功率密度和高开关频率场合。首先总结分析了各种短路过流检测方法,然后基于分流器检测法设计了一款SiC MOSFET短路保护电路,最后简要分析其工作原理,并进行实验验证。实验结果表明,所设计的SiC MOSFET短路保护电路,能在发生短路的1μs内完成保护动作,确保器件的安全运行。

• 单位
  南京工程学院