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摘要
本发明公开了一种基于石墨烯插入层的氮化镓基光电探测器的制备方法,主要用于解决现有技术在铜衬底上外延生长的氮化物材料质量较差与没有过渡层的问题,其制备步骤为：在α面蓝宝石衬底上磁控溅射氮化铝薄膜；将石墨烯转移到磁控溅射氮化铝薄膜上,得到覆盖石墨烯的蓝宝石基板,并对其进行热处理；在热处理后的蓝宝石基板上生长脉冲氮化铝过渡层；在该过渡层上生长低温氮化镓层,得到氮化镓基板；在氮化镓基板上光刻出窗口图形并制作电极。本发明采用磁控溅射氮化铝和脉冲氮化铝过渡层,并把石墨烯作为其中的插入层,使氮化镓能生长在具有较大晶格失配常数的衬底上,提高了氮化镓基光电探测器的质量,可用于制作氮化镓基光电器件。
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