一种多层LED芯片结构及其制备方法

作者：李京波; 朱峰; 纪攀峰

来源：2009-12-02, 中国, CN200910242001.6.

本发明公开了一种多层LED芯片结构及其制备方法。该结构包括：蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上低温外延生长的GaN缓冲层；在GaN缓冲层上高温外延生长的n型GaN；在n型GaN上高温外延生长的AlGaN层；在AlGaN层上生长的3个周期的InGaN/GaN量子阱的弛豫层；在InGaN/GaN量子阱的弛豫层上生长的7个周期的InGaN/GaN量子阱有源区；在InGaN/GaN量子阱有源区上生长的p型AlGaN电子阻挡层；在电子阻挡层上生长的p型GaN层；以及在p型GaN层上生长的重掺杂的p型GaN接触层。该结构可以有效的降低外延层中材料的位错密度,减少量子限制斯塔克效应的影响,提高LED的内量子效率。

• 单位
  中国科学院半导体研究所