基于黑磷的p-n光电检测器

作者：刘艳; 黄炎; 张思清; 韩根全; 郝跃

来源：2017-08-09, 中国, ZL201710675630.2.

本发明公开了一种基于黑磷的p-n光电检测器,包括衬底,位于衬底上的掩埋氧化物层及位于掩埋氧化物层上的有源区结构,有源区结构包括：源极、漏极以及黑磷(BP)和聚二甲基硅氧烷(PDMS)组成的栅极。衬底是P型衬底,掩模氧化物层所用材料是SiO2材料,厚度为50nm。应用拉伸或压缩聚二甲基硅氧烷(PDMS),分别沿着锯齿形和扶手椅方向向黑磷(BP)引入不同的应变,放置在掩模氧化物层的顶部。黑磷(BP)层是五层的。源极和漏极接触,利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)来进行电子束光刻定义。电极材料所选为Ti和Au。可给衬底施加电压调节器件。本发明设计并模拟了基于BP的p-n光电检测器,对不同应变方向的黑磷和能量结构进行分析,考虑了暗电流效应,系统的优化了吸收系数和响应度,响应度高达66.29A/W。

• 单位
  西安电子科技大学