一种低欧姆接触的氧化镓功率晶体管及其制作方法

作者：陆小力; 何云龙; 马晓华; 郑雪峰; 李园; 郝跃

来源：2022-10-12, 中国, CN202211247362.1.

本发明公开了一种低欧姆接触的氧化镓功率晶体管及其制作方法,制作方法包括：在β-Ga-2O-3衬底上生长β-Ga-2O-3UID层；在β-Ga-2O-3UID层上生长轻掺杂的β-Ga-2O-3沟道层；在β-Ga-2O-3沟道层上旋涂重掺杂的SOG介质层；刻蚀掉除欧姆区域外的SOG介质层；在欧姆区域内的SOG介质层上生长源电极和漏电极；在β-Ga-2O-3沟道层、源电极、漏电极和SOG介质层上生长Al-2O-3介质层；在欧姆区域外的Al-2O-3介质层上生长栅电极；刻蚀掉源电极和漏电极上的Al-2O-3介质层；在源电极和漏电极上沉积互联金属。本发明制作工艺简单,且制作的器件具有更低欧姆接触导通电阻。

• 单位
  西安电子科技大学