第一性原理计算Ga,O掺杂Ge材料的电子结构

作者：王利; 刘华松; 季一勤; 贺鹏飞

来源：原子与分子物理学报, 2013, (03): 507-510.

• 电子结构
• 态密度
• Ga掺杂Ge
• Ga-O共掺杂Ge electronic structure
• density of states
• Ga-doping
• Ga-O codoping Ge

利用第一性原理模拟计算了Ga掺杂Ge及Ga、O共掺杂Ge材料的电子结构,对态密度、能带结构进行了分析.结果表明,Ga掺杂Ge材料会使掺杂体系表现为较强的金属性;Ga、O共掺杂会使掺杂体系在低能端出现新的态密度为零区域.通过掺杂能够改变Ge材料的电学和光学特性.

• 单位
  聊城大学