科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
以甲基三氯硅烷为原料,FeCl3或Ni(NO3)2为催化剂,采用催化化学气相沉积工艺,在C/C-SiC复合材料表面原位制备出SiC晶须;研究了温度、催化剂对制备SiC晶须的影响。结果表明:1 050℃为制备SiC晶须的最佳温度;FeCl3催化生长的SiC晶须较细,直径为1.5～1.8μm,晶须表面光滑,直晶率高;Ni(NO3)2催化制备的SiC晶须较粗,直径为2.0～2.5μm,晶须表面粗糙,晶须交互生长,弯晶率高;晶须生长机理为气液固(VLS)机理。
- 单位
以甲基三氯硅烷为原料,FeCl3或Ni(NO3)2为催化剂,采用催化化学气相沉积工艺,在C/C-SiC复合材料表面原位制备出SiC晶须;研究了温度、催化剂对制备SiC晶须的影响。结果表明:1 050℃为制备SiC晶须的最佳温度;FeCl3催化生长的SiC晶须较细,直径为1.5～1.8μm,晶须表面光滑,直晶率高;Ni(NO3)2催化制备的SiC晶须较粗,直径为2.0～2.5μm,晶须表面粗糙,晶须交互生长,弯晶率高;晶须生长机理为气液固(VLS)机理。
