基于50 nm AlN/GaN异质结的G波段放大器

作者：张政; 焦芳; 吴少兵^*; 张凯; 李忠辉; 陆海燕; 陈堂胜

来源：固体电子学研究与进展, 2019, 39(03): 155-193.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2019.03.001

• GaN高电子迁移率晶体管
• G波段
• 电子束直写
• 功率放大器

报道了基于50 nm栅工艺的AlN/GaN异质结的G波段器件结果。在AlN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长50 nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大漏电流为2.1 A/mm,最大跨导为700 mS/mm;小信号测试外推其电流增益截止频率和最大振荡频率分别为180 GHz及350 GHz。采用该工艺制备的共面波导(CPW)结构的放大器工作电压6 V,在162 GHz小信号增益大于10 dB。166 GHz连续波峰值输出功率11.36 dBm,功率密度达到684 mW/mm,功率密度水平达到GaN器件在G频段的高水平。