(NH_4)_2S侧壁钝化提高GaN基Micro-LEDs光电性能

作者：刘绍刚^*; 徐晨超

来源：广东化工, 2021, 48(09): 1-3+31.

• Micro-LEDs
• Ga N
• 硫化铵
• 非辐射复合
• 侧壁缺陷

作为新一代显示技术,GaN基Micro-LEDs具有低功耗、高亮度、高分辨率和快速响应的优点。但是,侧壁缺陷引起的表面非辐射复合严重影响Micro-LEDs的发光效率。本文利用（NH4）2S来钝化GaN微米柱侧壁,形成稳定的Ga-S取代不稳定的Ga-O和Ga-OH,修复侧壁缺陷,抑制电子空穴侧壁缺陷处发生的非辐射复合。（NH4）2S钝化20分钟之后,Micro-LEDs侧壁缺陷修复效果最明显。在40mA的电流下,LOP和EQE分别提高23.89%和23.95%,能量转换效率提升明显。（NH4）2S处理后形成的侧壁钝化层一方面可以有效减少载流子非辐射复合,另一方面有效防止氧或水蒸气在侧壁表面再次扩散发生反应,为GaN基Micro-LEDs光电性能提升提供新的方向。

• 单位
  上海理工大学