基于n-GaN/p-GaSe/石墨烯异质结的自驱动超宽光谱光电探测器及制备方法

作者：宁静; 周宇; 王东; 沈雪; 张弛; 张进成; 马佩军; 郝跃

来源：2020-10-15, 中国, ZL202011101554.2.

本发明公开了一种自驱动超宽光谱的光电探测器,主要解决现有技术自驱动性能低和可探测光谱窄的问题。其自下而上包括：衬底层(1)、缓冲层(2)、n型GaN层(3),n型GaN层上方的两侧分别设有p型层(4)与Ni/Au电极(6),该缓冲层采用磁控溅射氮化铝层(21)和石墨烯层(22)双层结构,该GaSe层的上方一侧及与Ni/Au电极之间设有石墨烯层(5),该GaSe层(4)上方的另一侧设有Au电极(7),其与GaSe层形成肖特基接触；石墨烯层分别与Ni/Au电极和Au电极之间相互隔离。本发明提升了探测器的自驱动性能,拓展了探测器的可探测光谱范围,可用于成像,光通信,传感和生物医学。

• 单位
  西安电子科技大学