汞探针CV测试在半导体材料研究中的典型应用

作者:彭雯璐; 庞学明; 刘洪山*
来源:信息记录材料, 2021, 22(07): 27-29.
DOI:10.16009/j.cnki.cn13-1295/tq.2021.07.011

摘要

汞探针配合各型号的仪表,可直接在半导体上形成肖特基势垒测得硅外延层的载流子浓度,也可以形成MOS电容结构,对CVD工艺等进行监控,利用汞探针测量技术可以有效评估各种半导体材料制造工艺。目前,国内外对汞探针的研究正处于成熟发展的阶段,许多欧美厂商生产的汞探针台和测试仪表已达到较高水平,能快速、方便且无损地对半导体材料进行测量分析,精密度不断提高,我国也在不断完善各种测量标准,将其广泛应用于半导体材料测试的研究中。本文从汞探针的基本结构和原理出发,简要总结了汞探针CV测试在半导体材料研究中的典型应用。

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