Ti-Si_(0.84)Ge_(0.16)和Ti-Si系统的温度特性研究

作者：李翊; 张伟; 许军; 陈长春; 单一林; 熊小义; 李希有; 刘志弘; 钱佩信

来源：微电子学, 2008, (01): 33-35.

• Ti基硅化物
• SiGe
• HBT
• RTA
• 温度特性

实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16与Ti-Si系统在依次经历700℃及730~900℃两步退火后的方块电阻。对比结果表明,Ti的锗硅化物与Ti的硅化物具有不同的温度特性。造成这一差异的原因与Ge原子在高温下的行为有关。实验利用XRD,研究了Ti(SiGe)2从C49相到C54相的转变。物相分析结果显示,其相转变温度在760~800℃之间。结合实验结论,对采用Ti硅化物工艺的自对准SiGe HBT进行了退火温度的优化,其适合的高温退火温度为850℃左右。

• 单位
  清华大学