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摘要
本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,该金属氧化物薄膜晶体管结构包括：栅极金属层,栅极绝缘层,有源层,刻蚀阻挡层,源漏电极,保护层；本发明利用灰度掩膜版,并通过对光刻步骤进行特殊设计,大大简化了薄膜晶体管的制作工艺,并能够防止金属氧化物有源层的背沟道在工艺过程中受到污染。该发明应用于基于金属氧化物薄膜晶体管驱动面板的制作,是具有重要产业应用价值的技术。
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本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,该金属氧化物薄膜晶体管结构包括：栅极金属层,栅极绝缘层,有源层,刻蚀阻挡层,源漏电极,保护层；本发明利用灰度掩膜版,并通过对光刻步骤进行特殊设计,大大简化了薄膜晶体管的制作工艺,并能够防止金属氧化物有源层的背沟道在工艺过程中受到污染。该发明应用于基于金属氧化物薄膜晶体管驱动面板的制作,是具有重要产业应用价值的技术。
