摘要
为了研究不同制备方法对薄膜性能的影响,分别利用磁控溅射法和电子束蒸发法在长有500 nm厚的SiO2薄膜的Si(100)晶圆上制备了生长速度为1.0 nm/s,厚度为100 nm的Ti薄膜,并对薄膜的厚度、表面形貌、电阻、反射率及应力进行了测试。相比于电子束蒸发法,磁控溅射法制备的薄膜表面晶粒更加均匀致密,表面缺陷少,粗糙度较小,薄膜具有更低的电阻、应力以及更高的反射率。试验结果表明,磁控溅射法制备的薄膜电性能优于电子束蒸发法。电子束蒸发法制备的薄膜应力具有较大的变化范围,可用于多层膜之间的应力匹配调试。同时,也可以通过减少薄膜表面结构缺陷,减小薄膜表面粗糙度来提高薄膜的性能。