磁控溅射与电子束蒸发制备Ti薄膜性能的研究

作者：李兆营

来源：钢铁钒钛, 2023, 44(02): 98-102.

• Ti薄膜
• 磁控溅射
• 电子束蒸发
• 电阻
• 反射率
• 应力

为了研究不同制备方法对薄膜性能的影响，分别利用磁控溅射法和电子束蒸发法在长有500 nm厚的SiO2薄膜的Si(100)晶圆上制备了生长速度为1.0 nm/s，厚度为100 nm的Ti薄膜，并对薄膜的厚度、表面形貌、电阻、反射率及应力进行了测试。相比于电子束蒸发法，磁控溅射法制备的薄膜表面晶粒更加均匀致密，表面缺陷少，粗糙度较小，薄膜具有更低的电阻、应力以及更高的反射率。试验结果表明，磁控溅射法制备的薄膜电性能优于电子束蒸发法。电子束蒸发法制备的薄膜应力具有较大的变化范围，可用于多层膜之间的应力匹配调试。同时，也可以通过减少薄膜表面结构缺陷，减小薄膜表面粗糙度来提高薄膜的性能。