切应力对脑血管内皮细胞Notch通路表达的影响

作者：古冬金; 苏小康; 王帅; 郑贤美; 李黎明^*

来源：山西医科大学学报, 2020, 51(06): 541-545.

DOI：10.13753/j.issn.1007-6611.2020.06.013

• 脑动静脉畸形
• Notch信号通路
• 脑血管内皮细胞
• 切应力

目的探讨不同切应力作用强度和作用时间对脑血管内皮细胞Notch信号通路蛋白表达的影响。方法体外培养小鼠脑微血管内皮细胞(brain microvascular endothelial cells,MECs),运用平行平板流动腔系统给MECs加载不同层流切应力(5,10,15 dyn/cm2),在作用3,6,12 h后,采用Western blot检测Notch通路相关蛋白VEGF、Notch1、Dll4和Hes1的表达水平。结果 Western blot结果显示,切应力作用MECs 6 h和12 h后,切应力作用强度为15 dyn/cm2时Notch1、VEGF、Dll4和Hes1蛋白的表达水平明显高于切应力为0,5,10 dyn/cm2时的蛋白表达水平(P <0.05)。结论随着切应力作用强度和作用时间的增加,脑血管内皮细胞Notch通路相关蛋白表达量增加,表明长时间的高切应力作用更容易激活Notch通路。

• 单位
  东北大学