摘要
四元层状化合物BiCuTeO具有极低的热导率和很好的热电性能,但多数文献报道的结果表明该类材料的制备较为困难,单相化合物不易合成。通过吉布斯自由能计算发现利用CuO替代Bi2O3和单质Cu作为Cu源和O源有利于BiCuTeO的合成,并利用一步高压合成方法快速制备了BiCuTeO。为了优化BiCuTeO的电输运性能,还分别利用Se和Pb对其Te位和Bi位进行了掺杂研究,结果表明:Se在Te位掺杂能够提高BiCuTeO的载流子有效质量进而提高Seebeck系数,但霍尔迁移率降低和带隙增大导致电阻率升高、功率因子降低;Pb掺杂可以同时提高BiCuTeO的载流子有效质量和载流子浓度,因而有利于提升电输运性能。
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单位桂林理工大学; 六盘水师范学院; 化学与材料工程学院