含氢氦锆膜的中子反射及弹性反冲探测表征

作者：夏婷; 杨朝文; 任建坤; 李新喜; 王燕; 黄朝强^*

来源：原子与分子物理学报, 2019, 36(06): 976-981.

DOI：10.3969/j.issn.1000-0364.2019.06.014

• 锆膜
• 磁控溅射
• 中子反射
• 弹性反冲探测
• 真空退火

采用直流磁控溅射方法制备含氢氦的锆膜,利用中子反射和弹性反冲探测两种方法分别对样品中的氢、氦分布以及浓度进行表征,并探究了不同温度退火处理后H、He的变化.实验结果表明:中子反射与弹性反冲探测两种方法的表征结果具有很好的一致性,H、He在锆层中近似均匀分布,氦浓度与溅射的He/Ar比成正比. 300℃退火处理1 h后,样品中的H从Zr层向外迁移和释放,且这种现象随退火温度升高到500℃时更加明显.

• 单位
  中国工程物理研究院核物理与化学研究所