磁量子结构中电子自旋极化输运性质的研究

作者：李业华; 王海镔; 高峰; 唐振坤; 王玲玲

来源：衡阳师范学院学报, 2007, (06): 59-63.

DOI：10.13914/j.cnki.cn43-1453/z.2007.06.014

• 磁量子结构
• 电子输运
• 自旋极化 magnetic quantum structure
• electron transport
• spin-polarization

研究了双磁垒量子结构中,磁场强度和偏压大小对电子自旋极化输运的影响。结果表明:零偏压下,电子在反平行等强磁垒结构中输运不会产生自旋极化;电子传输的阈值能量随磁场强度或偏置电压的增大而增大;在一定的磁场强度和偏压大小下,比较由半导体InAs和GaAs两类材料构成的量子结构中电子输运自旋极化度,发现它们的电子输运自旋极化度都随入射能量的增大而呈振荡衰减趋势,朗德有效因子高的InAs材料比GaAs的自旋极化度高出一个数量级。

• 单位
  长沙职业技术学院; 湖南大学; 衡阳师范学院