“自上而下”法制备高性能GaN纳米线阵列

作者：桂奇; 祝元坤; 王现英

来源：电子科技, 2019, 32(09): 1-31.

DOI：10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2019.09.001

• GaN
• 纳米线
• Ni掩膜
• ICP刻蚀
• 湿法腐蚀
• 侧壁形貌

针对自下而上生长GaN纳米线的尺寸、形态、取向不易控制的问题,文中采用自上而下刻蚀的方法来制备GaN纳米线材料。以图形化的金属Ni作为掩膜对GaN进行ICP刻蚀,系统研究了刻蚀参数,主要是ICP功率以及RF功率对GaN纳米线形貌以及拉曼、PL光谱的影响,同时也对比了干法刻蚀后,有无湿法处理的影响。研究发现,当ICP功率为1 000 W,RF功率为100 W时,GaN纳米线的拉曼和PL光谱强度较大,表明此功率下刻蚀的纳米线损伤较小。经过KOH浸泡30 min后,GaN纳米线的形貌得到了改善,拉曼和PL光谱强度均优于单纯的干法刻蚀,为下一步器件的制备提供了良好的材料基础。

• 单位
  上海理工大学