本发明属于光催化纳米半导体材料合成技术领域,具体公开了一种硫化铟锌量子点的制备方法。本发明以廉价的Zn(NO-3)-2·6H-2O,In(NO-3)-3·4.5H-2O,TAA为原料,在高压釜中110~130℃条件下反应,然后自然冷却,最后真空干燥即可获得ZnIn-2S-4 QDs。本发明公开的ZnIn-2S-4 QDs合成方法简单方便,采用的原料方便易得、成本较低,可大规模工业生产,合成材料的颗粒为球体,直径约为10nm。