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摘要
本发明涉及一种GaN基肖特基势垒二极管,包括衬底层,位于所述衬底层上的缓冲层,位于所述缓冲层上的沟道层；复合势垒层,位于所述沟道层上；阴极,位于所述复合势垒层表面的一端；复合阳极,位于所述复合势垒层表面的另一端；本征GaN帽层,与所述复合阳极相连且位于所述复合势垒层上；基极,与所述复合阳极相连且位于所述部分本征GaN帽层上。本发明提出的GaN基肖特基势垒二极管在提高器件击穿电压的同时减小了器件的开启电压,从而缓解了器件击穿电压与开启电压之间的矛盾,使得二者同时具有较高的性能指标,改善了器件的击穿特性和可靠性。
- 单位
