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摘要
硅与碲镉汞之间的外延碲化镉缓冲层能够减小外延过程中产生的高达107 cm-2的位错密度，高温热退火是抑制材料位错的有效方法之一。传统的离位退火技术会导致工艺不稳定和杂质污染等，而原位退火则可有效解决这些问题。利用原位退火技术对分子束外延生长的硅基碲化镉材料进行了位错抑制研究。对厚度约为9■m的碲化镉材料进行了6个周期不同温度的热循环退火，并阐释了不同退火温度对硅基碲化镉材料位错的抑制效果。采用统计位错腐蚀坑密度的方法对比了退火前后材料的位错变化。可以发现，在退火温度为520℃时，位错密度可以达到1.2×106 cm-2,比未进行退火的CdTe材料的位错密度降低了半个数量级。
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单位华北光电技术研究所
