Ge/Si虚衬底材料及其制备方法

作者：魏青; 宋建军; 蔡丽莹; 胡辉勇; 宣荣喜; 舒斌; 张鹤鸣

来源：2016-08-25, 中国, CN201610728747.8.

本发明涉及一种Ge/Si虚衬底材料及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底；在第一温度下,Ge衬底表面生长第一Ge籽晶层；在第二温度下,在第一Ge籽晶层表面生长第二Ge主体层；加热整个衬底,并利用激光工艺对整个衬底进行晶化,激光工艺的参数包括：激光波长为808nm,激光光斑尺寸10mm×1mm,激光功率为1.5kW/cm2,激光移动速度为25mm/s；冷却形成Ge/Si虚衬底材料。本发明采用激光再晶化(LaserRe#Crystallization,简称LRC)工艺即通过连续激光再晶化薄Ge/Si虚衬底,可有效降低Ge/Si虚衬底的位错密度；连续激光再晶化工艺选择性高,仅作用于Ge外延层,控制精确,避免了Si#Ge互扩的问题；连续激光再晶化工艺辅助制备Ge/Si虚衬底,晶化速度快,因而还具有工艺步骤简单,工艺周期短,热预算低的优点。

• 单位
  西安电子科技大学