基于非晶铟镓锌氧半导体肖特基二极管的研究

作者：吴全潭; 刘朔

来源：电子工艺技术, 2020, 41(03): 166-169.

DOI：10.14176/j.issn.1001-3474.2020.03.012

• 消费类电子
• 低温互连
• 无铅钎料
• Sn-Bi
• 微观组织
• 力学性能

非晶铟镓锌氧化物半导体(a-IGZO)二极管广泛应用于光电子学领域,在柔性可穿戴应用领域有巨大优势,但仍然需要解决制备高性能器件和成本等问题。概括了a-IGZO二极管的工作原理和制造工艺,以及a-IGZO肖特基二极管的最新研究进展。最后讨论了器件制备工艺对IGZO二极管器件的影响。

• 单位
  中国科学院微电子研究所