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摘要
Si基HgCdTe表面钝化膜质量直接影响芯片的性能参数,而钝化前的表面清洗尤为重要。传统的表面清洗方式易对芯片表面造成损伤,且存在生产效率低、工艺重复性差等缺点。文中对芯片划片工艺后的表面残留物进行了分析,为去除芯片表面残留物寻找新的试剂,改善人工擦拭的清洗方式,制定了新的表面清洗工艺,并对传统清洗方式和优化后的清洗方式进行对比。实验证明,新的清洗方式不仅减少了芯片表面损伤,而且提高了工作效率和工艺的可重复性。
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单位华北光电技术研究所
