采用了构造计数器来生成SRAM的读写地址的方法,设计了一种符合DVB-C标准,面向RS(204,188)码的卷积交织和解交织器,交织深度为12,单元深度为17。这种卷积交织和解交织器结构简单,性能良好,由于采用了单端口RAM,所以比一般的采用双端口RAM的设计节省了30%的电路面积。