VGF法SI-GaAs单晶生长工艺与固液界面形状的研究

作者：边义午

来源：天津科技, 2019, 46(02): 21-23.

DOI：10.14099/j.cnki.tjkj.2019.02.007

• SI-GaAs
• 垂直梯度凝固法
• 固液界面
• 电阻率

阐述了VGF法SI-GaAs单晶生长工艺中非平坦形固液界面形成的原因,分析了由此导致的单晶尾部径向电阻率不均匀性分布及单晶可利用率低的原因。在等径生长阶段引入VB走车工艺,并通过实验验证了VB走车工艺的应用效果,有效改善了固液界面形状和单晶尾部电阻率不均匀性,提升了SI-GaAs单晶的可利用长度。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十六研究所