5 V双向TVS器件击穿电压对称性分析与优化设计

作者：陈正才; 黄龙; 彭时秋

来源：电子与封装, 2020, 20(10): 68-70.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1014

• 击穿电压
• 离子注入
• 退火

通过设计5 V双向TVS产品,分析了N+注入及退火工艺对器件正、反向击穿电压的影响。通过优化材料电阻率,正、反向击穿电压的差值从1.3 V优化至0.1 V,各项动态参数均满足产品要求。完成了5 V双向TVS器件击穿电压对称性的优化,各项参数均满足产品要求。

• 单位
  无锡中微晶园电子有限公司