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摘要
<正>3DNAND闪存与2DNAND闪存在存储架构上虽然有比较明显的差异，但是其存储单元的基本物理结构组成是相同的。在3DNAND存储器结构中，采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的3DNAND存储器结构。在3DNANDFlash中，多位存储单元可被编程于多阶编程阈值电压的其中之一阶，以实现一个多位存储单元可以存储多个不同数据的目的。闪存获取的数据由存储单元中电荷数量的多少决定当用户写入的电荷与读出的电荷数量不一致时，
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单位国家知识产权局
