Al0.7Sb2Te3合金靶的制备及性能研究

作者：孙川希; 周增林^*; 谢元锋; 夏扬

来源：稀有金属, 2019, 43(07): 727-732.

DOI：10.13373/j.cnki.cjrm.xy17100021

• Al0.7Sb2Te3
• 合金靶
• 两相组成
• 近全致密

Al-Sb-Te相变薄膜与CMOS兼容性高,热稳定性佳,所以能很好满足相变存储器高温稳定工作的需求。以原子比Al∶Sb∶Te=0.7∶2.0∶3.0的混合粉为原料,采用真空合成法与烧结-热等静压制备Al-Sb-Te合成粉及用于溅射沉积Al0.7Sb2Te3薄膜的三元靶材,通过X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电镜(FESEM)及金相显微镜(OM)、能谱仪(EDS)分别表征粉体物相、靶材显微组织及元素分布等。结果表明:Al0.7Sb2Te3合成粉的主相为Sb2Te3相,且与Sb2Te3二元合金粉相比, Al原子的掺杂使Sb2Te3主相的晶格常数与晶胞体积均减小,具体表现为:晶格常数a,c从Sb2Te3二元合金粉的0.4267, 3.0443 nm减小到Al0.7Sb2Te3合成粉的0.4258, 3.0423 nm,且晶胞体积减小0.486%;再用Al0.7Sb2Te3合成粉为原料,制备出的三元靶材相对密度达到99.5%,且其平面与截面显微组织基本一致,均形成明显的Al0.1Sb2Te3基体相与单质Al弥散相两相组成,基体相与弥散相结合紧密,界面处存在宽度2～3μm的过渡区域。所制备的近全致密两相Al0.7Sb2Te3合金靶材,有望改进磁控溅射法制备Al-Sb-Te系列薄膜的工艺和效果。

• 单位
  北京有色金属研究总院