成像级CdSe中红外波片的表面处理工艺研究

作者：杨辉; 张志勇; 冯志伟; 熊祝韵; 曾体贤

来源：影像科学与光化学, 2017, 35(02): 168-173.

DOI：10.7517/j.issn.1674-0475.2017.02.168

• 硒化镉晶体
• 中红外波片
• 化学机械抛光

本文利用改进的垂直无籽晶气相升华法生长出尺寸达Φ30×40 mm的优质硒化镉(CdSe)单晶体。解理晶体,通过X射线衍射仪测试精确的获得(001)晶面。然后定向切割、研磨、抛光,获得了尺寸为20×20×3mm3的CdSe中红外波片初胚。以弱碱性溶液与刚玉粉的混合液作为抛光液,利用化学机械抛光法对CdSe中红外波片进行表面抛光处理。结果显示,抛光处理有效的减少了波片表面的损伤层、划痕及结构缺陷,晶片表面的粗糙度降低,在220μm波段透过率较高(达到70%),满足中红外波片的应用需求。

• 单位
  国家天文台; 中国科学院; 中国科学院国家天文台; 西华师范大学