一款0.6～4.2 GHz宽带低噪声放大器设计

作者：汪宁欢^*; 郑远; 何旭; 陈新宇; 杨磊

来源：固体电子学研究与进展, 2019, 39(01): 17-22.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2019.01.004

• 5G
• 砷化镓增强型赝配高电子迁移率晶体管
• 低噪声放大器
• 电流复用技术

采用0.25μm GaAs E-pHEMT工艺设计和制作了一款0.6～4.2 GHz宽带低噪声放大器芯片。芯片采用电流复用技术,降低了整体功耗,且集成了关断(Shutdown)控制电路用于关断低噪声放大器。测试结果表明,在工作频带内,低噪声放大器增益大于23 dB,增益平坦度在2 dB左右,输入输出回波损耗小于-10 dB,噪声系数低于1 dB,输出1 dB压缩点大于17 dBm,开关时间均在30 ns左右。芯片具有宽带、噪声系数低、集成度高和低功耗等特点,在基站接收系统中具有一定的应用价值。

• 单位
  南京国博电子有限公司